近年来半导体行业发展迅猛,尤其是高性能计算、人工智能和先进汽车系统的需求持续攀升,传统单裸片芯片设计已难以满足当下的功耗、性能、面积(PPA)指标要求。为此,工程师们开始采用多裸片架构,将多个小尺寸裸片集成在单个封装中。该架构虽提升了芯片的可扩展性与性能,却也带来了新的挑战,其中互连规划问题尤为突出。而实现不同裸片间的通信,凸点与硅通孔(TSV)的高效规划,是多裸片集成过程中至关重要的环节。(图 1:基于电子表格的凸点规划示意图)在多裸片设计中,芯片间的互连通过布置在裸片表面的微凸点或混合键合焊盘实现,这
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多裸片芯片 凸点 硅通孔 3D 堆叠芯片 新思科技 硅通孔
随着全球电动汽车市场份额持续扩大,车辆与市电电网之间的低成本连接必须兼顾安全性与高效性。电动汽车(EV)市场正呈指数级持续增长,预计到 2030 年全球上路电动汽车数量将达到5 亿辆。从国际能源署(IEA)提供的数据来看,这一数字是合理的:2022–2023 年全球纯电动汽车(BEV)与插电式混合动力汽车(PHEV)总销量增长35%(从 1020 万辆增至 1380 万辆)。IEA 预测,2030 年全球年销量将达到4070 万辆,2035 年达到5650 万辆。气候变化与人口密集区空气污染是推动高效、零
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线缆内置控制 保护装置 IC‑CPD 电动汽车 供电设备 EVSE
英飞凌(Infineon)近日推出了其首款采用光耦仿真(opto-emulator),旨在简化从传统基于光耦的控制方案向新一代碳化硅(SiC)功率级的迁移。据官方新闻稿介绍,新型 EiceDRIVER™ 1ED301xMC12I 系列器件在引脚上与现有的光耦仿真器和光耦合器兼容。对于《eeNews Europe》的读者——尤其是从事工业与能源系统设计的工程师而言,这一产品意义重大:它提供了一条无需彻底重新设计控制板即可快速升级至更高效率SiC方案的路径。同时,这也凸显了当前栅极驱动器性能正不断演
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英飞凌 IC SiC
近日,长江存储三期项目正在安装巨型洁净厂房设备,项目负责人透露,计划今年建成投产。湖北省委书记王忠林来到长江存储三期项目建设现场三期扩产与未来目标长江存储成立于2016年7月,是我国存储芯片制造领域的龙头企业,主要为市场提供3D NAND闪存晶圆及颗粒,嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案。2021年12月,长江存储二期科技有限责任公司成立,注册资本600亿元。2025年9月,长存三期(武汉)集成电路有限责任公司成立,注册资本达207.2亿元 —— 由长江存储持股5
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长江存储 半导体 3D NAND 晶栈 Xtacking
动力强劲的 F1 赛车、穿梭飞行的无人机、士兵的单兵背包、智能可穿戴设备,这些产品有着一个共同点:都需要电池供电。理想状态下,电池能精准适配各类不规则的边角、曲面与空隙,但如今的圆柱或方形电池电芯却难以实现这一点。曾参与设计梅赛德斯 - AMG 马石油车队赛车、助力该车队拿下七连冠的工程师 Gabe Elias,联合创立了一家初创企业,推出电池 3D 打印技术 —— 可将电池直接打印在设备表面,填充各类设备和交通工具中的闲置空间。该公司近期与美国空军签下一份价值 125 万美元、为期 18 个月的合同,旨
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Material 3D 打印 电池
摘要本文聚焦于2型电动汽车供电设备(EVSE)的设计。构建EVSE时必须遵循的规则可在IEC 61851-1标准中找到,而针对2型EVSE的具体规则,则在补充标准IEC 62752中有明确规定。本文所提供的指南以这些标准为依据,并以ADI公司的全新参考设计为例进行说明。充电过程中,电动汽车(EV)与电动汽车供电设备(EVSE)之间的通信是通过控制引导(CP)波形来实现的,文中对CP波形及标准中定义的各类状态进行了阐述。CP波形与所呈现的调试信息,共同印证了指南的合理性,有助于更深入理解电动汽车充电过程,从
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IC-CPD 线缆内置控制 电动汽车供电设备 ADI
借助使“隐形斗篷”成为可能的光扭曲技术,科学家们开发出一种既能实现微观细节又能实现高通量的新型3D打印技术。研究人员建议,他们的新技术有望实现复杂纳米级结构的大规模生产。潜在应用包括药物递送和核聚变研究。目前,3D打印复杂微观特征最精确的方法是双光子光刻。该技术使用液态树脂,只有当树脂中的感光分子同时吸收两个光子而非一个光子时才会凝固。 双光子光刻技术使得体素——相当于像素的三维结构——体积仅几十纳米的器件成为可能。然而,双光子光刻技术在大规模实际应用中被证明过于缓慢。这在很大程度上使其成为实验
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3D 打印 超构透镜 超材料 双光子光刻
据路透社消息,中国NAND闪存制造商长江存储已就其被列入“实体清单”一事分别向美国国防部、美国商务部发起了诉讼。12月5日,长江存储于美国华盛顿联邦法院对美国防部提起诉讼,要求法官阻止国防部将公司列入所谓“涉军名单”并撤销这一认定。长江存储成立于2016年7月,是国内专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路厂商,旗下有零售存储品牌致态。长江存储以1600亿元的估值成功入围了胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》,位列中国十大独角兽第9、全球第21,成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。
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长江存储 3D NAND 闪存 存储器
近日,英伟达宣布入股新思科技,并开启多年深度合作,引发行业广泛关注。作为一家以算力和应用见长的芯片公司,为什么要亲自“下场”绑定一家 EDA 工具商?与之相呼应的是,台积电早已与楷登电子在先进制程与 3D 封装上形成紧密合作,把工艺规则直接嵌入设计工具之中。 这一系列动作清晰地揭示了一个深层趋势:在摩尔定律逼近极限、先进封装成为算力增长核心引擎的今天,半导体产业的竞争范式正从单一的制程竞赛,转向系统级的协同优化。想要继续提升性能、控制成本,就必须实现“工艺 + EDA + 设计”的深度协同,而
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算力巨头 EDA 晶圆厂 3D IC
近几周,中国半导体行业对集成电路(IC)行业的重大资本投资有所增加。上海IC产业投资基金阶段II资本增至240.6亿元人民币,增长66%公司注册数据显示,上海集成电路产业投资基金阶段二号有限公司注册资本从约145.3亿元人民币增至240.6亿元,增长约66%。该基金成立于2020年5月,总部位于上海浦东新区,是一家国家支持的私募股权工具,股东包括上海克洲集团、上海国生集团、上海国际集团、浦东风险投资集团、临港新区基金、兴家股权和浦东新工业投资。以支持中国集成电路产业高质量发展为关键承诺,阶段II将投资整个
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集成电路 半导体 IC
第六届IEEE WINTECHCON 2025于2025年11月12日至13日,召集了800多名女性工程师、技术专家、行业领袖、学术界、学生和研究人员,主题为“以数据驱动的半导体创新改变未来”。今年,该会议由IEEE班加罗尔分会、IEEE计算机科学学会班加罗尔分会和Women in Engineering AG班加罗尔分会联合主办,由三星半导体印度研究院(SSIR)主办。IEEE班加罗尔分会主席Chandrakanta Kumar博士表示:“IEEE Wintechcon 2025展示了印度半导体创新引擎
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半导体产业 嵌入式系统 IEEE Wintechon 2025 3D IC 集成
芯片制造商正越来越多地采用晶体管层堆叠技术,在有限空间内集成更强计算能力。然而,当前用于检测可能导致 3D 芯片失效的深埋缺陷的技术,要么效果不佳,要么具有破坏性。不过,一家初创公司表示,基于人造钻石的新型量子传感器有望帮助代工厂在生产过程中快速捕捉这些隐藏缺陷,且不会对芯片造成损坏,这可能为行业节省数十亿美元成本。马里兰州大学公园市量子技术公司 EuQlid 的联合创始人兼首席执行官 Sanjive Agarwala 表示:“芯片中电流传输所依赖的互连结构若存在缺陷 —— 无论是金属沉积不当、硅片裂纹还
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氮空位缺陷 3D 芯片 量子传感器
推动当今价值超过 5000 亿美元的半导体行业将年收入增长到 1 万亿美元,这正在挑战更广泛供应链的各个方面拥抱人工智能。人工智能正在改变晶圆厂的架构和运行方式、设备的制造方式以及服务器群的构建方式。与此同时,所有这一切都得益于人工智能芯片和算法的进步,这是一种更智能技术的良性循环,使其他技术能够提高两者的能力。这是今年在凤凰城举行的 SEMICON West 会议上讨论的主要话题,推动了近年来缺乏的热议。从大局来看,人工智能正在各地创造巨大的机会。“摆在我们面前有 2 万亿美元的机会,一个是 AI 工厂
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提高效率 IC AI IC制造
2025年11月23日—25日,第二十二届中国国际半导体博览会(IC China 2025)将在中国・北京国家会议中心举办。此次博览会以“凝芯聚力·链动未来”为主题,围绕高峰论坛、展览展示、产业对接、专场活动四大核心板块,为全球半导体行业搭建专业交流合作平台,助力半导体产业链协同发展。高峰论坛:聚焦产业前沿,汇聚全球智慧共话发展在高峰论坛板块,多场高规格论坛已确认举办,覆盖半导体产业关键领域与前沿方向。1开幕式暨第七届全球IC企业家大会将作为展会开篇重头戏,汇聚全球行业领军人物,共话半导体产业发展趋势与全
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IC China
专家在座:半导体工程与西门子 EDA 产品管理高级总监 John Ferguson 坐下来讨论 3D-IC 设计挑战以及堆叠芯片对 EDA 工具和方法的影响;Mick Posner,Cadence 计算解决方案事业部 IP 解决方案小芯片高级产品组总监;莫维卢斯的莫·费萨尔;是德科技新机会业务经理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 编译器平台产品管理高级总监 Amlendu Shekhar Choubey。本讨论的第 1 部分在这里,第 2&
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3D-IC 芯片设计
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